MB84VD2118XA-
85
/MB84VD2119XA-
85
写周期（注1 ） （ CE1S控制） （ SRAM ）
t
WC
地址
t
AS
t
WP
t
WR
WE
t
AW
t
CW
CE1s
CE2s
t
CW
t
BW
LB
S
， UB
S
t
BE
t
COE
t
ODW
D
OUT
t
DS
t
DH
D
IN
注2
有效的数据在
注：1.如果OE是在写入周期高电平时，输出端将保持在高阻抗状态。
2.由于I / O信号可以是在输出状态，此时，输入反转信号
极性不能被应用。
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