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P4C1981 / P4C1981L ， P4C1982 / P4C1982L
超高速16K ×4
CMOS静态RAM
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20/25 NS （商业）
- 12/15/20/25/35 NS （工业）
- 15/20/25/35/45 NS （军事）
低功耗工作（商用/军用）
- 715 mW的主动 - 12/15
- 六百六十〇分之五百五十○毫瓦活动 - 20/25/35/45
- 二百二十○分之一百九十三mW的待机（ TTL输入）
- 110分之83 mW的待机（ CMOS输入） P4C1981 / 1981L
- 5.5 mW的待机（ CMOS输入）
P4C1981L / 82L （军事）
输出使能和双芯片使能功能
P4C1981 / 1981L ， P4C1982 / 1982L
5V
±
10 ％的电力供应
数据保留与2.0V供电， 10
一个典型的
电流（ P4C1981L / 1982L （军事）
单独的输入和输出
- 在输出写在P4C1981 / L的输入数据
- P4C1982 / L的输出在写操作过程中高Z
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚（ JEDEC批准）
- 28引脚300密耳DIP ， SOJ
- 28引脚350× 550密耳LCC
描述
该P4C1981 / L和P4C1982 / L的65,536位（ 16Kx4 ）
超高速静态RAM类似于P4C198 ，但
与单独的数据I / O引脚。该P4C1981 / L功能的
透明的写操作时，
OE
低;的输出
在P4C1982 / L是高阻抗的写操作期间
周期。所有器件都具有低功耗待机模式。该
RAM的单5V操作
±
10 ％的功率公差
供应量。具有电池备份的，数据的完整性得以维持
对于电源电压下降到2.0V 。漏电流通常是
10
A
从2.0V电源。
存取时间快10纳秒是可用的，
允许大大提高了系统的运行速度。
CMOS用于减少功耗的低715
毫瓦活跃， 193 mW的待机。对于P4C1982L和
P4C1981L ，功率只有5.5毫瓦的待机与CMOS
输入电平。该P4C1981 / L和P4C1982 / L分别MEM-
一个家庭的PACE RAM 产品的BER提供快速
访问时间。
该P4C1981 / L和P4C1982 / L，在28引脚
300万DIP和SOJ ，以及28引脚350x550万LCC
封装提供卓越的板级密度。
功能框图
A
(8)
A
I
1
I
2
I
3
I
4
O
1
O
2
O
3
O
4
ROW
SELECT
65,536-BIT
内存
ARRAY
销刀豆网络gurations
VCC
A 13
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I
1
COLUMN
SELECT
输入
数据
控制
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A13
A 12
A11
A10
A9
I4
I3
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I1
I2
CE
1
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
OE
A2
A1
A0
2
1
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
A12
A11
A10
A9
I4
I3
O4
O3
O2
列I / O
O4
O3
O2
O1
WE
CE
2
I
2
CE
1
OE
GND
14 15 16
GND
CE
2
18
17
CE
2
WE
OE
P4C1982
P4C1981
A
(6)
A
DIP （ P5 ， D5-2 ） ， SOJ （ J5 ）
顶视图
P4C1981 / 1982
LCC （ L5）的
顶视图
意味着质量，服务和速度
1Q97
81
WE
O1
CE
1
