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MC-4R256FKE8D
(2/2)
信号
RSCK
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
罪
SOUT
SV
DD
SWP
V
CMOS
V
DD
V
REF
I / O
I
I
I
I
I
I / O
I / O
I / O
—
I
—
—
—
TYPE
V
CMOS
SV
DD
SV
DD
SV
DD
SV
DD
SV
DD
V
CMOS
V
CMOS
—
SV
DD
—
—
—
描述
串行时钟输入。用时钟源读取和写入RDRAM
控制寄存器。
串行存在检测地址0 。
串行存在检测地址1 。
串行存在检测报告2 。
串行存在检测时钟。
串行存在检测数据（集电极开路I / O） 。
串行I / O的读取和写入控制寄存器。重视SIO0
的模块在第一RDRAM 。
串行I / O的读取和写入控制寄存器。重视SIO1
的模块上的最后的RDRAM 。
SPD的电压。用于信号SCL，SDA ， SWP ， SA0 ， SA1和SA2 。
串行存在检测写保护（高电平有效） 。当低， SPD可
写入以及读出。
CMOS I / O电压。用于信号CMD ， SCK ， SIN ， SOUT 。
电源电压的RDRAM芯和接口逻辑。
逻辑阈值参考电压为RSL的信号。
6
数据表
E0079N20 （版本2.0 ）
