MC33035
图23.定时延迟锁定
过流关断
14
2
2
POS
DEC
转子
位置
解码器
1
V
CC
Q
1
Q
2
Q
3
图24.高电压接口，具有
NPN功率晶体管
14
4
5
6
R
DLY
3
V
M
1
24
22
24
负载
V
M
17
18
REF
UVLO
RESET
8
C
DLY
7
25
A
21
21
20
20
Q
4
19
t
[
RDLY CDLY在
DLY
[
RDLY CDLY在
- （我能
)
REF
IL
DLY
V启用 - （启用
)
th
IL
DLY
6.25 - （ 20 ×10 -6 - [R
)
DLY
1.4 - （ 20 ×10 -6 - [R
)
DLY
晶体管Q
1
用于从V电平移位一个共同的基台
CC
对
高电机电压，V
M
。如果V集电极二极管需要
CC
存在
而V
M
是低的。
V
图25.高电压接口，具有
N沟道功率MOSFET
14
V
CC = 12 V
2
转子
位置
解码器
1
1
2
1.0 M
4.7 k
1.0 k
6
4
V
BOOST
V
M = 170 V
图26.电流波形尖峰抑制
21
5
20
24
19
1N4744
MOC8204
光电耦合器
负载
40 k
9
100毫伏
15
C
R
R
S
21
23
车制动输入
20
Q
4
在加入RC滤波器将消除因限流不稳定
前缘穗上的电流波形。电阻R
S
应该是一个低
电感式。
19
12
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
