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表3中。
Am29LV040B自选代码（高压法）
A18
to
A16
X
X
A15
to
A10
X
X
A8
to
A7
X
X
A5
to
A2
X
X
DQ7
to
DQ0
01h
4Fh
01h
（被保护）
描述
制造商ID ： AMD
设备ID ： Am29LV040B
CE＃
L
L
OE ＃
L
L
WE＃
H
H
A9
V
ID
V
ID
A6
L
L
A1
L
L
A0
L
H
扇区保护验证
L
L
H
SA
X
V
ID
X
L
X
H
L
00h
（无保护）
L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
， SA =扇区地址，X =无关。
扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个
程序在任何扇区擦除操作。该硬
洁具行业解除保护功能重新启用这两个
在以前受保护的程序和擦除操作
部门。
只有部门保护/解除保护法意
编程设备需要V
ID
在地址
引脚A9和OE ＃ 。此方法是用亲兼容
语法例程较早3.0伏，只有AMD写
闪存设备。出版号22168包含
进一步详情;联系AMD的代表
请求副本。
该设备出厂时所有部门保护。
AMD提供的编程和维护的选项
装运设备之前，部门在其工厂
通过AMD的ExpressFlash 服务。请联系
AMD公司代表了解详情。
它能够确定一个扇区是否已被保护
或未受保护的。请参阅“自选模式”的详细信息。
擦除或编程，否则可能会
造成在V系统杂散电平信号
CC
上电和掉电转换，或从系统
噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
，该设备不
接受任何写周期。这期间， V保护数据
CC
上电和断电。命令寄存器和
所有的内部编程/擦除电路都被禁止，而
设备重置。随后的写操作被忽略，直到V
CC
大于V
LKO
。该系统必须提供
正确的信号给控制引脚，以防止无意中
tional写道：当V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒（典型值）上的OE ＃ ， CE＃或噪声脉冲
WE＃不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE ＃任何一个抑制=
V
IL
，CE ＃ = V
IH
或WE ＃ = V
IH
。要启动一个写周期，
CE＃和WE＃必须是逻辑零而OE＃是一个
逻辑之一。
上电时禁止写入
如果WE＃ = CE ＃ = V
IL
和OE ＃ = V
IH
上电时，该
设备不接受的上升沿命令
的WE＃ 。内部状态机自动为
重置为读出在上电时阵列的数据。
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
进行编程或擦除提供数据保护
对inadver 10吨写（见表4
命令定义） 。此外，下面的硬
洁具的数据保护措施，防止意外
10
Am29LV040B
