中冶56
MCD 56
晶闸管模块
可控硅/二极管模块
I
真有效值
= 2×100一
I
TAVM
= 2x64一
V
RRM
= 800-1800 V
TO- 240 AA
2
3
6
7
4
1
5
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
1900
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
I
TAVM
, I
FAVM
I
TSM
, I
FSM
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
TYPE
VERSION
MCC
MCC
MCC
MCC
MCC
56-08
56-12
56-14
56-16
56-18
1B
IO1 B /
IO1 B /
IO1 B /
IO1 B /
IO1 B /
8B
IO8 B
IO8 B
IO8 B
IO8 B
IO8 B
VERSION
MCD
MCD
MCD
MCD
MCD
56-08
56-12
56-14
56-16
56-18
1B
8B
IO1 B / IO8 B
IO1 B / IO8 B
IO1 B / IO8 B
IO1 B / IO8 B
IO1 B / IO8 B
3
6 7 1
5 4 2
条件
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 83 ℃; 180 °正弦波
T
C
= 85°C ; 180 °正弦波
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
最大额定值
100
64
60
1500
1600
1350
1450
11 200
10 750
9100
8830
150
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
As
A
2
s
A / μs的
2
MCC
第1版B
3
1
5 4 2
MCD
第1版B
∫
i
2
dt
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
3
6
1
5 2
MCC
第8版B
3
1
5 2
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= T
VJM
重复的，我
T
= 150 A
F = 50 Hz时，T
P
= 200 s
V
D
=
2
/
3
V
DRM
I
G
= 0.45 A
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的
非重复性的，我
T
= I
TAVM
500
1000
10
5
0.5
10
-40...+125
125
-40...+125
A / μs的
V / μs的
W
W
W
V
°C
°C
°C
V~
V~
MCD
第8版B
特点
国际标准封装，
JEDEC TO- 240 AA
直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
平面钝化芯片
隔离电压3600 V
UL注册，E 72873
门阴极双引脚版本1B
应用
直流电机控制
软启动交流电机控制器
光，热和温度控制
优势
空间和减轻重量
安装简单用两个螺丝
改进的温度和功率循环
降低保护电路
419
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
T
VJ
= T
VJM
;
V
DR
=
2
/
3
V
DRM
R
GK
=
∞;
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
;
I
T
= I
TAVM
;
t
P
= 30 s
t
P
= 300 s
50/60赫兹， RMS ;
I
ISOL
≤
1毫安;
T = 1分
t=1s
3000
3600
安装扭矩（ M5 ）
终端连接扭矩（ M5 ）
典型的包括螺钉
2.5-4.0 / 22-35牛米/ lb.in 。
2.5-4.0 / 22-35牛米/ lb.in 。
90
g
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管，除非另有说明。
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