写周期2
（ E受控，见注1 ）
– 12
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
启用以结束写的
数据有效到写结束
数据保持时间
写恢复时间
符号
tAVAV
塔维尔
tAVEH
tELEH ，
TELWH
tDVEH
tEHDX
tEHAX
民
12
0
10
9
6
0
0
最大
—
—
—
—
—
—
—
民
15
0
12
10
7
0
0
– 15
最大
—
—
—
—
—
—
—
民
20
0
15
12
8
0
0
– 20
最大
—
—
—
—
—
—
—
民
25
0
20
15
10
0
0
– 25
最大
—
—
—
—
—
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3,4
笔记
注意事项：
1.电子低和W低的重叠期间，写操作。
2.所有的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3.如果E增大或后W变为低电平低电平一致时，输出将保持在高阻抗状态。
4.如果E变为高电平一致或之前W变为高电平时，输出将保持在高阻抗状态。
写周期2
（ E受控，见注1 ）
tAVAV
A（地址）
tAVEH
E（ CHIP ENABLE ）
塔维尔
TWLEH
W（写使能）
tDVEH
D（ DATA IN ）
数据有效
tEHDX
tELEH
TELWH
tEHAX
Q（ DATA OUT ）
高-Z
订购信息
（整理全部型号）
MCM
摩托罗拉记忆前缀
产品型号
6206D X
XX
XX
配送方式（ R2 =卷带式，空白=导轨）
速度（ 12 = 12纳秒， 15 = 15纳秒， 20 = 20纳秒，
25 = 25纳秒）
包装（P = 300万塑料DIP ， J = 300万SOJ ）
全部零件编号 - MCM6206DP12
MCM6206DP15
MCM6206DP20
MCM6206DP25
MCM6206DJ12
MCM6206DJ15
MCM6206DJ20
MCM6206DJ25
MCM6206DJ12R2
MCM6206DJ15R2
MCM6206DJ20R2
MCM6206DJ25R2
MCM6206D
6
摩托罗拉快速SRAM
