位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2889页 > MCRF200IS14D > MCRF200IS14D PDF资料 > MCRF200IS14D PDF资料4第12页
MCRF200
表5-3：
DIE外形尺寸
特定网络阳离子
焊盘开口
死研磨用厚度
民
—
—
—
—
—
—
死研磨用厚度公差
模具钝化厚度（多层）
芯片尺寸：
芯片尺寸X * Y锯之前（步长）
锯后，芯片尺寸X * Y
注1 ：
2:
3:
4:
—
—
—
—
—
典型值
3.5 x 3.5
89 x 89
7
177.8
11
279.4
—
—
0.9050
44.15 x 68.44
42.58 x 66.87
最大
—
—
—
—
—
—
±1
±25.4
—
—
—
单位
米尔
m
米尔
m
米尔
m
米尔
m
m
米尔
米尔
注4
—
—
评论
注1 ，注2
在框架锯6 “晶圆
（选项= WF ）
注3
Unsawed晶圆
（选项= W）
注3
5:
接合焊盘尺寸是钝化开口的。所述金属接合焊盘钝化通过在重叠
至少有0.1万。
金属垫的组合物为98.5 ％铝和1％ Si和0.5 ％的Cu 。
作为模具厚度减小，易患裂化增加。因此建议模具是为
厚的应用程序将允许。
模具钝化厚度（ 0.905
m)
可以通过设备根据所使用的掩模组而变化。该
钝化是如下构成的：
-layer 1 ：氧化（掺杂氧化物0.135
m)
-layer 2 ： PSG （掺杂氧化， 0.43
m)
-layer 3：氮氧化物（顶层， 0.34
m)
的转化率是25.4
微米/密耳。
注意：
极端的护理要求在处理和模具产品的组装，因为它们很容易受到
机械和静电的损害。
表5-4：
晶圆直径
WAFER机械特性
特定网络阳离子
民
—
—
—
—
典型值
8
80
14,000
24
最大
—
—
—
—
单位
寸
m
DIE
晶圆
150 mm
评论
模具分割线的宽度
每片晶圆骰子
批量大小
DS21219H第12页
2003 Microchip的技术公司
