摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCR703A / D
可控硅整流器器
反向阻断三极晶闸管
。 。 。设计用于高容量的PNPN器件，低成本的消费应用，如
温度，光照和速度控制;进程和远程控制;和警告
系统中运行的可靠性是至关重要的。
小型
钝化模具表面的可靠性和一致性
低电平触发和保持特性
建议更换电气为C106
提供两种封装方式：
表面贴装Leadforms - 案例369A
微型塑料包装 - 直导线 - 案例369
A
MCR703A
THRU
MCR708A*
*摩托罗拉的首选设备
可控硅
4.0安培RMS
100通600伏
订购信息
获得“ DPAK ”表面贴装Leadform （案例369A ） ：
运袖 - 没有后缀，即MCR706A
运16毫米磁带和卷轴 - 添加“ RL ”后缀设备号，也就是说，
MCR706ARL
获得“ DPAK ”中直引线型：
运袖 - 添加“1”后缀设备号，即MCR706A1
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
重复峰值正向和反向阻断电压
(1)
（1/2正弦波）
（ RGK = 1000欧姆，
MCR703A1 ， MCR703A
TC = -40+ 110 ℃）的
MCR704A1 ， MCR704A
MCR706A1 ， MCR706A
MCR708A1 ， MCR708A
峰值不重复反向阻断电压
（1/2正弦波， RGK = 1000欧姆，
TC = -40+ 110 ℃）的
MCR703A1 ， MCR703A
MCR704A1 ， MCR704A
MCR706A1 ， MCR706A
MCR708A1 ， MCR708A
平均通态电流
（TC = -40+ 90 ℃）的
（TC = + 100° C）的
符号
VDRM
or
VRRM
100
200
400
600
VRSM
150
250
450
650
IT （ AV ）
ITSM
2.6
1.6
25
35
安培
安培
伏
价值
单位
G
K
A
G
伏
A
K
CASE 369A
风格5
A
G
A
K
CASE 369
风格5
浪涌通态电流（1/2正弦波， 60赫兹， TC =
+90°C)
（1/2正弦波， 1.5毫秒TC =
+90°C)
电路熔断（T = 8.3毫秒）
峰值功率门控（脉冲宽度= 10
s,
TC = 90 ℃）的
平均栅极电源（ T = 8.3毫秒， TC = 90 ° C）
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
工作结温范围
存储温度范围
0.190
4.826
0.165
4.191
I2t
PGM
PG （AV）
IGM
VRGM
TJ
TSTG
2.6
0.5
0.1
0.2
6
-40到+110
-40到+150
A2s
瓦
瓦
0.100
2.54
AMP
伏
°C
°C
0.063
1.6
0.118
3.0
1. VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请或零
负栅极电压;然而，正栅极电压不得同时申请同
负电位的阳极。阻断电压不得以恒定电流测试
源，使得器件的电压额定值被超过。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
0.243
6.172
英寸
mm
图1.最小焊盘
大小
表面安装
1
REV 1
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉公司1995年
