双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT6
MCT61
MCT62
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向电压
反向电流
结电容
探测器
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
电容
(I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ，我
F
= 0)
(V
CE
= 10 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 0 V ， F = 1兆赫）
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
30
6
85
13
5
8
100
V
V
nA
pF
(I
F
= 20 mA）的
(I
R
= 10 A)
(V
R
= 5 V)
(V
F
= 0 V ， F = 1兆赫）
V
F
V
R
I
R
C
J
3.0
1.2
25
0.001
50
10
1.5
V
V
A
pF
测试条件
符号
民
典型**
最大
单位
传输特性
AC特性
开关时间
非饱和导通时间
不饱和关断时间
(R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V)
(R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V)
t
on
t
关闭
2.4
2.4
s
s
测试条件
符号
民
典型**
最大
单位
传输特性
DC特性
电流传输比，集电极 - 发射极
MCT6
MCT61
MCT62
饱和电压
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V)
(I
F
= 16 mA时，我
C
= 2 mA）的
V
CE （ SAT ）
CTR
20
50
100
0.15
0.40
V
%
测试条件
符号
民
典型**
最大
单位
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在TA = 25℃
测试条件
(I
我-O
≤
1 μA ， T = 1分。 ）
(V
我-O
= 500 VDC）
中（f = 1 MHz）的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
5300
10
11
0.5
典型**
最大
单位
VAC （ RMS）
pf
2003仙童半导体公司
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10/20/04
