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82C59A
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.5V到V
CC
+0.5V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
12
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
14
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
不适用
PLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最高结温塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大的铅温度封装（焊接10秒） 。 。 。 。 +300
o
C
（ PLCC和SOIC - 只会提示）
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至+ 0.8V
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1250 ·盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
直流电特定网络阳离子
符号
V
lH
V
IL
V
OH
V
OL
II
IO
ILIR
参数
合乎逻辑的输入电压
V
CC
= +5.0V
±10%,
T
A
= 0
o
C至+70
o
C（ C82C59A ） ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ I82C59A ） ，T
A
= -55
o
C到
+125
o
C（ M82C59A ）
民
2.0
2.2
-
3.0
VCC -0.4
-
-1.0
-10.0
-
-
-
最大
-
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
毫安/ MHz的
I
OH
= -2.5mA
l
OH
=
-100A
l
OL
= + 2.5毫安
V
IN
= GND或V
CC
，销1-3 ， 26-27
V
OUT
= GND或V
CC
，引脚4-13 ， 15-16
V
IN
= 0V
V
IN
=
V
CC
V
CC
= 5.5V, V
IN
= V
CC
或GND输出
开放的， （注1 ）
V
CC
= 5.0V, V
IN
= V
CC
或GND ，输出打开，
T
A
= 25
o
C， （注2 ）
测试条件
C82C59A ， I82C59A
M82C59A
逻辑零输入电压
输出高电压
0.8
-
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
IR输入负载电流
0.4
+1.0
+10.0
-200
10
10
lCCSB
待机电源电流
ICCOP
工作电源电流
-
1
注意事项：
1.除IR0 - LR7其中V
IN
= V
CC
或打开。
2. ICCOP外设读/写周期时间= 1毫安/ MHz的。 （例如：我是1.0μs / O读/写周期时间= 1毫安） 。
电容
T
A
= +25
o
C
符号
CIN
COUT
CI / O
参数
输入电容
输出电容
I / O容量
典型值
15
15
15
单位
pF
pF
pF
测试条件
FREQ = 1MHz时，所有的测量参考
设备的GND。
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