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三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
L E （C T） R I C A L C其特一个C T E R I S T我（C S）
（ L C发E R I （E S） T A = 0 5 ° C，V
CC
= 4 。 5 0 5 。 2 5 V ，U N L （E S） S 0吨 é R W我发E N 2 O T E D）
符号
V
OH
V
OL
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
参数
高输出电压
低输出电压
高输入电流
低输入电流
高输出电流
在关闭状态
低输出电流
在关闭状态
I
CC
1 1
主动供应
目前1
I
CC
1 2
主动供应
目前2
I
CC
2 1
待机电源电流1
I
CC
2 2
VBDET1
VBDET2
待机电源电流2
电池检测
参考电压1
电池检测
参考电压2
（L S S小è R I （E S） T A = - 2 0 7 0 ° C，V
CC
= 4 。 5 0 5 。 2 5 V ，U N L （E S） S 0吨 é R W我发E N 2 O T E D）
范围
测试条件
单位
M | N 。典型值。马克斯。
I
OH
= - 1 。 0米一
2.4
V
I
OL
= 1米
0.4
V
V
I
=V
CC
V
10
A
V
I
=0V
＃ CE1 ， CE2 ＃ ， WE＃ ， OE ＃ ， ＃ REG
-10
-70
A
其他投入
-10
权证1 ＃ =权证2 ＃ = V
IH
R 0 ＃ = V
IH
宽E ＃ = V
IH
,
10
A
V
O
=V
CC
权证1 ＃ =权证2 ＃ = V
IH
R 0 ＃ = V
IH
宽E ＃ = V
IH
,
-10
A
V
O
= 0 V
64KB~1MB
16bit
150
权证1 ＃ =权证2 ＃ = V
IL
8bit
110
吨 é R I氮，磷， ü吨 V
IH
诉
IL
2MB
16bit
160
mA
输出=开放
8bit
120
周期时间= 250ns的
4MB
16bit
200
8bit
160
64KB~1MB
16bit
140
CE1#=CE2#
≤
0.2V
8bit
100
其他投入
≤
0.2V或
2MB
16bit
150
mA
≥
V
CC
-0.2V
8bit
110
输出=开放
4MB
16bit
190
周期时间= 250ns的
8bit
150
权证1 ＃ =权证2 ＃ = V
IH
10
mA
吨 é R I氮，磷， ü吨S = V
IH
诉
IL
权证1 ＃ =权证2 ＃
≥
V
CC
- 0 . 2 V
64KB,128KB
0.15
0.30
其他投入
≤
0.2V或
256KB~1MB
0.15
0.45
mA
≥
V
CC
- 0 . 2 V
2MB,4MB
0.30
0.65
Vcc=5V,Ta=25
°C
V
2.37 2.47
2.27
Vcc=5V,Ta=25
°C
2.55
2.65
2.75
V
注2：流入集成电路电流取为正（无符号） 。
3：典型值在V测量
C C
= 5 V ， T A = 2 5 ℃。
引脚置位，当电池电压低于规定的水平。
三菱
电
5/11
