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散热注意事项
的直流功耗
MGA- 83563 ，其可以是对
为了为0.5瓦将至
超小型的热极限
包装，如SOT- 363 。
因此，应特别注意
采取适当散热器
的MGA- 83563 。
从主要的热路径
MMIC芯片到系统的散热器
是通过导通的装置
通过封装引线和
接地过孔到地平面
在印刷电路板的背面。如
先前在提及
“ PCB布局”部分，使用
附近所有的多个过孔
接地引脚是理想的低
电感。使用多了
孔也是一个特别重要
在散热的坦一部分
功能。
对于散热而言，
更薄的PCB用多个过孔，
较厚的金属包层材料，以及较重的
电镀在该通路中的所有结果中
低的耐热性和
更好的热传导。电路
板比0.031英寸更浓
不推荐用于
热和电的原因。
良好的热的重要性
设计上的可靠性进行了讨论
在下一节中。
下面的例子显示了
热先决条件使用
的MGA- 83563可靠地在两个
饱和和线性模式。
从图22 ，
P
in
+ P
DC
= P
OUT
+ P
DISS
其中，P
in
和P
OUT
是RF
输入和输出功率，P
DC
is
直流输入功率，而P
DISS
is
电源作为热量耗散。为
在饱和模式下，P
OUT
= P
SAT
,
而且，
P
DISS
= P
in
+ P
DC
– P
SAT
基于电子表格
规格时，器件电流
（典型值）为152 mA的电源
3伏的电源电压。为参考
环图10，可以看出
该电流将减小
在升高约8％
温度。该器件的DC
功耗则：
P
DC
= 3.0伏* 152毫安* 0.92
P
DC
= 420毫瓦
对于饱和放大器，射频
输入电平为+4 dBm的
（ 2.51毫瓦）和饱和
输出功率为+22 dBm的
（ 158毫瓦） 。
电力消耗的热量
那么：
P
DISS
= 2.51 + 420 - 158毫瓦
P
DISS
= 264毫瓦
通道到外壳热
电阻（ θ
CH-C
）从表
绝对最大额定值是
175 ° C /瓦。注意，该均值
荷兰国际集团的“案例”包如
采用SOT- 363被定义为
包间的接口
销和安装面，
即，在PCB焊盘。在温
从安装perature上升
表面到在MMIC信道是
然后计算
0.264瓦特
*
175 ° C /瓦，或46 ℃。
饱和模式热
例子
更少的热量耗散在
MGA- 83563时，在操作
饱和模式，因为一
显著量的功率是
从RFIC射频去除
信号功率。正是由于这个原因
该饱和模式允许
可靠地被用于在该装置
更高的电路板温度
比全功率，线性
应用程序。
作为热的示意图/
可靠性计算，考虑
的MGA- 83563偏见的情况下
在3.0伏特用在饱和
模式的应用程序与MTTF
10可靠性目标
6
小时
（114年） 。可靠性calcula-
系统蒸发散将首先被提交
公称
的条件下，随后
保守的做法
运用
最坏情况
条件。
第一步骤是计算
功率耗散
MGA- 86353为热。潮流
为MGA- 83563表示
在图22中。
P
DC
热设计
可靠性
良好的散热设计是一个
在重要的考虑
可靠使用中等功率的
如MGA- 83563器件
因为平均时间
半导体故障（ MTTF ）
设备成反比
到操作温度。
P
in
Σ
P
n
= 0
热
P
DISS
P
OUT
图22表示热
的MGA- 83563 。
