MIC2194
MIC2194
电压
扩音器
销2
R2
V
REF
1.245V
V
OUT
麦克雷尔
在繁重的输出负载的显著贡献者
功率损耗是（幅度大致顺序） ：
电阻的MOSFET中的时间损失
在MOSFET的开关损耗转型
电感电阻损耗
电流检测电阻损失
输入电容电阻损耗（由于电容器
ESR）
为了最大限度地减少重负载下功率损耗：
使用低导通电阻的MOSFET 。使用门槛低
当输入电压低于逻辑电平的MOSFET
5V 。由导通电阻乘以栅极电荷
使品质因数，提供了一个很好的平衡
之间的低负载和高负载时的效率。
缓慢的过渡时间和振荡的电压
和电流波形中消耗更多的功率
导通和关断MOSFET的。干净
布局将最大限度地减少寄生电感和电容
tance在栅极驱动器和高电流路径。这
将允许最快的过渡时间和波形
无振荡。低栅极电荷的MOSFET会
具有较高的栅极电荷转换比快
要求。
对于相同尺寸的电感，一个较低的值将有
匝数较少，因此，降低绕组电阻。
然而，使用一个值的过小会需要更多的
输出电容以滤除输出纹波，这将
力较小的带宽，速度较慢的瞬态响应
在一定条件下和可能的不稳定性。
降低电流检测电阻值将DE-
弄皱消耗在电阻的功率。不过，
这也将增加过流限制和意志
需要较大的MOSFET和电感元件。
使用低ESR的输入电容，以减少电源
耗散在电容器的ESR。
R1
图5
输出电压由下式确定：
R1
R2
其中：V
REF
对于MIC2194通常是1.245V 。
V
OUT
=
V
REF
×
1
+
是优选的R 1的值越低，以防止噪声
出现在FB引脚。一个典型的推荐值
为10kΩ 。如果R 1是太小的值会降低效率
的电源，特别是在低输出负载。
一旦R 1被选择时， R 2可以计算出以下
公式：
R2
=
V
REF
×
R1
V
OUT
– V
REF
效率方面的考虑
EF网络连接效率是输出功率与输入功率的比值。该
差被耗散为在降压转换器的热量。下
光输出负载时，显着的贡献者是：
在V
IN
电源电流，其包括电流
切换外部MOSFET所需。
在输出电感磁芯损耗。
为了最大限度地提高效率，在轻负载条件：
使用低栅极电荷MOSFET或使用最小
的MOSFET ，它仍然是足够的最大输出
电流。
使用铁氧体材料的电感磁芯，其中有
少磁芯损耗比MPP或铁权力核心。
2002年10月
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MIC2194
