MIC2194
MIC2194
V
IN
1.5V
典型
麦克雷尔
MOSFET选择
所述P沟道MOSFET必须具有V
GS
阈值电压
在降压等于或大于输入电压下使用时
转换器拓扑结构。是有限制的最大栅极
充电MIC2194会开车。 MOSFET的高门
负责将有较慢的导通和关断时间。慢
过渡时间将导致更高的功率耗散
MOSFET由于较高的开关转换损耗。
MOSFET栅极电荷也受功率耗散
在MIC2194 。由栅极驱动器所消耗的功率
电路的计算方法如下：
P
GATE_DRIVE
= Q
门
×
V
IN
×
f
S
其中：Q
门
既是N-和总的栅极电荷的P
沟道MOSFET。
f
S
为开关频率
V
IN
是栅极驱动电压
在图4中的曲线图示出，可以是总的栅极电荷
由MIC2194驱动在输入电压范围内，对
不同的值的开关频率。
最大栅极电荷
MAMIMUM栅极电荷（ NC）
250
200
150
100
50
0
0
R1
BIAS
电路
EN / UVLO
(3)
140mV
迟滞
（典型值）
R2
图3. UVLO电路
在跳变点线路电压又是：
V
输入_启用
=
V
门槛
×
R2
R1
+
R2
其中：
V
门槛
是内部的电压电平
比较基准，一般为1.5V 。
输入电压滞后等于：
V
输入HYST _
=
V
HYST
×
其中：
V
HYST
是内部比较器迟滞的水平，
通常140MV 。
V
INPUT_HYST
是滞后于输入电压
该MIC2194将被禁用，当输入电压下降
回落到：
V
INPUT_OFF
=
V
INPUT_ENABLE
– V
INPUT_HYST
=
R2
(V
门槛
– V
HYST
)
×
R1
+
R2
无论是2 UVLO条件将拉动软启动电容
低：
当V
DD
电压下降到低于其
欠压锁定水平。
当使能引脚低于其能
门槛
内部偏置电路产生内部1.245V频带 -
隙参考电压为电压误差放大器和一个3V
VDD的电压为内部控制电路。 VDD引脚
必须脱钩与1μF的陶瓷电容。该电容
器必须被放置在靠近VDD引脚。的另一端
电容器必须直接连接到接地平面。
MOSFET栅极驱动器
该MIC2194是专为驱动高侧P沟道
MOSFET。 P沟道MOSFET的源极引脚
连接到所述电源的输入端。它被接通
当OUTP拉MOSFET低的栅极。在研华
使用P沟道MOSFET的塔格是，它不需要
自举电路，以提高比的栅极电压高
输入，如将需要一个N沟道MOSFET。该
VIN引脚（引脚8）提供驱动电压到栅驱动销，
OUTP 。
R1
+
R2
R2
5
10
输入电压（ V）
15
图4. MIC2194 V
IN
VS最大。栅极电荷
振荡器
内部振荡器自由运行，无需外部
组件。最大占空比为两个频率
为100％。这是利用一个P沟道的另一个优点
的MOSFET的高边驱动器;它可以连续地接通
ON 。
频率折返模式被激活，如果在电压
反馈引脚（引脚2 ）小于0.3V。在频率反走，
该振荡器频率被降低了大约一个因子
4.频率折返用于限制所传递的能量
以在短路期间的故障状态的输出。
电压设置组件
该MIC2194需要两个电阻来设置输出电压
如示于图5。
MIC2194
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2002年10月
