MJE350
典型特征
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
1000
-10
V
CE
= 10V
I
C
= 10I
B
h
FE
，直流电流增益
100
-1
V
BE
（SAT）
V
CE
（SAT）
-0.1
10
1
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-1
-10
-100
-1000
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
-10000
25
I
C
[A] ，集电极电流
-1000
P
C
[W] ，功率耗散
20
15
10
0
s
50
0
s
1m
DC
10
s
-100
5
-10
-10
0
-100
-1000
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图3.安全工作区
图4.功率降额
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年2月
