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M24512
与图6.写模式序列WC = 1 （数据写入抑制）
WC
确认
字节写
DEV SEL
确认
确认
无应答
DATA IN
BYTE ADDR
读/写
BYTE ADDR
开始
WC
确认
页写
DEV SEL
确认
确认
无应答
IN 1数据
IN 2数据
BYTE ADDR
读/写
BYTE ADDR
WC （续）
无应答
页写
（续）
无应答
开始
数据的N
停止
停止
AI01120C
写操作
继启动条件总线主机发送
与读/写位设备选择代码
（RW）复位为0的装置，确认这一点，因为
所示
图7 ，
并等待两个地址
字节。该设备响应每个地址字节
有一个应答位，然后等待
数据字节。
写入存储器可写，如果抑制
控制（ WC ）为高。任何写指令
与写控制（ WC ）高驱动（将外围时
从启动条件时荒漠化问题，直到年底
这两个地址字节）将不修改内存
内容，和伴随数据字节
不
确认，如图
图6 ..
在存储器中的每个数据字节都有一个16位（ 2
字节宽）地址。最高有效字节（ TA-
BLE 4 ）
首先被发送，其次是最低有效
斜面字节（表
5.).
位B15到B0形式
在存储器中的一个字节的地址。
当总线主机产生一个停止条件
之后的ACK位（在“ 10
th
位“时间
插槽） ，或者在一个字节写入或页底
写，内部写周期被触发。止损
情况在其他时段不触发
内部写周期。
停止条件后，延时T
W
和suc-
cessful完成写操作，单片机
副的内部地址计数器加一
自动，以指向下一个字节地址AF-
TER被修改的最后一个。
在内部写周期，串行数据（ SDA ）
在内部禁用，并且该设备没有重新
有反应的任何请求。
字节写
之后，设备选择代码和地址
字节，总线主机发送一个数据字节。如果
寻址单元被写保护，通过写
控制（ WC ）驱动高，设备回复
与诺亚克，并且位置不被修改。如果，在 -
取而代之，被寻址的位置没有写保护─
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