MM54C89 MM74C89 64位三态随机读写存储器
1988年3月
MM54C89 MM74C89 64位三态
随机读写存储器
概述
该MM54C89 MM74C89是一个16字由4位的随机AC-
塞斯读写存储器输入到内存由
4根地址线4的数据输入线的写使能线
和存储器使能线的4个二进制地址输入
在内部解码，选择每个16种可能
字的位置，内部地址寄存器锁存AD-
礼服上的信息正以负跳变
内存使能输入的四个三态数据输出
线与所述存储器协同工作的使能输入
为便于内存扩展
地址操作
地址输入必须保持稳定吨
SA
革命制度党
或者内存正到负的过渡，使IT
因此，没有必要保持地址信息的稳定供
余吨
HA
启用内存后（阳性neg-
内存ative过渡使能）
记
定时比DM7489不同在于，一个正到负
存储器的过渡使必须发生的存储器是
选
读操作
的信息的补哪
被写入到存储器的非破坏性读出，在
四个输出这是通过选择DE-完成
sired地址，并把内存支持低和写入
启用高
当设备正在写或禁用输出呈现
三态（高阻）状态
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
3 0V至15V
保证噪声容限
1 0V
高噪声抗扰度
0 45 V
CC
（典型值）
低功耗
扇出的2
TTL兼容
驾驶74L
低功耗
100纳瓦封装（典型值）
快速访问时间
130 ns（典型值），在V
CC
e
10V
三态输出
写操作
信息存在于数据输入端是
在所选择的地址通过将写入到存储器
写使能和内存支持低
逻辑连接图
双列直插式封装
顶视图
TL F 5888 - 2
订单号MM54C89
或MM74C89
TL F 5888 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5888
RRD - B30M105印制在U S A
