MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
分立功率&信号
技术
MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
3
连接图
3
1
11
2
1501
3
3
1503
1
2 NC
3
1
3
2
2
SOT-23
1
MMBD1501
MMBD1503
MMBD1504
MMBD1505
记号
11
MMBD1501A
13
MMBD1503A
14
MMBD1504A
15
MMBD1505A
1504
A11
A13
A14
A15
1505
1
2
1
2
高电导率低漏二极管
从过程1L来源。
绝对最大额定值*
符号
W
IV
I
O
I
F
i
f
i
F（浪涌）
工作电压逆
平均整流电流
直流正向电流
经常性峰值正向电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
180
200
600
700
1.0
2.0
-55到+150
150
单位
V
mA
mA
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
MMBD1501 / A / 1503至1505年/ A *
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*
设备安装在玻璃环氧树脂印刷电路板1.6" X 1.6" X 0.06" ;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸
1997仙童半导体公司
