MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
高电导率低漏二极管
（续）
电气特性
符号
B
V
I
R
TA = 25° C除非另有说明
参数
击穿电压
反向电流
测试条件
I
R
= 5.0
A
V
R
= 125 V
V
R
= 125 V ，T
A
= 150°C
V
R
= 180 V
V
R
= 180 V，T
A
= 150°C
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 300毫安
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
民
200
最大
1.0
3.0
10
5.0
720
830
890
930
1.1
1.15
4.0
单位
V
nA
A
nA
A
mV
mV
mV
mV
V
V
pF
V
F
正向电压
620
720
800
830
0.87
0.9
C
O
二极管电容
典型特征
反向电压Vs反向电流
BV - 3.0到100微安
V
R
- 反向电压（ V）
325
TA = 25℃
反向电流与反向电压
IR - 130 - 205伏
I
R
- 反向电流（ NA）
3
TA = 25℃
300
2
1
275
0
130
250
3
5
10
20
30
50
I
R
- 反向电流（ UA）
100
150
170
190
V
R
- 反向电压（ V）
205
一般规则：一个二极管的反向电流约
双每十（ 10 ）摄氏度的温度上升
正向电压Vs正向电流
VF - 1100微安
V
V
F
F
- 正向电压（毫伏）
正向电压Vs正向电流
音频 - 0.1 10 mA的
V
F
V
F
- 正向电压（毫伏）
550
500
450
400
350
TA = 25℃
800
750
700
650
600
550
TA = 25℃
1
2
3
5
10
20 30
50
I
F
- 正向电流（ UA）
100
500
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
I
F
- 正向电流（mA ）
10
