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飞思卡尔半导体公司
系统设计信息
6
6.1
系统设计信息
上电/掉电时序
图50
显示在排序的I / O VDD （ VDD_IO ） ，内存VDD （ VDD_IO_MEM ） ， PLL情况
VDD （ PLL_AVDD ） ，和Core VDD （ VDD_CORE ） 。
直流电源电压
3.3V
VDD_IO ，
VDD_IO_MEM （ SDR）的
VDD_IO_MEM （ DDR ）
2.5V
飞思卡尔半导体公司...
1
1.5V
VDD_CORE ，
PLL_AVDD
2
0
时间
注意：
1.
2.
3.
4.
VDD_CORE不应该在任何时间超过VDD_IO ， VDD_IO_MEM或PLL_AVDD超过0.4 V，
包括电。
所以建议VDD_CORE / PLL_AVDD应跟踪VDD_IO / VDD_IO_MEM高达0.9伏
然后分开的坡道完成。
比电源电压的输入电压不得大于（ VDD_IO ， VDD_IO_MEM ， VDD_CORE ，或
PLL_AVDD ）超过0.5 V ，在任何时候，包括在上电期间。
使用1微秒或更慢的上升时间为所有用品。
图50电源电压定序
VDD_IO_MEM和VDD_IO之间的关系是在上电和掉电非关键
序列。无论VDD_IO_MEM （ 2.5 V或3.3 V）和VDD_IO指定相对于VDD_CORE 。
6.1.1上电顺序
如果VDD_IO / VDD_IO_MEM被加电与VDD_CORE 0V时，在I / O焊盘的感测电路
将导致连接到VDD_IO / VDD_IO_MEM到处于高阻抗状态的所有垫输出驱动器。
没有限制多久后VDD_IO / VDD_IO_MEM上电VDD_CORE前必须接通电源。
VDD_CORE不应导致的VDD_IO ， VDD_IO_MEM或PLL_AVDD超过0.4 V电源时
斜坡上升或将有大电流的内置ESD保护二极管。电源的上升时间
用品应该比1微秒更慢，以避免接通内部ESD保护钳位
二极管。
推荐的电序列如下：
使用一微秒或更慢的上升时间为所有用品。
摩托罗拉
MPC5200硬件规格
69
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