这个版本：四月7 1999
半导体
MSC23436C-xxBS10/DS10
4,194,304字×36位的动态RAM模块：快速页面模式类型
描述
该MSC23436C - xxBS10 / DS10是4194304字×36位CMOS动态随机存取存储器模块
它是由8 16Mb的（ 4Mx4 ）在SOJ封装的DRAM和SOJ封装2的8Mb （ 4Mx2 ）的DRAM
装有10去耦电容。这是一个72脚单列直插式内存模块。该模块支持任何
其中高密度和存储存储器的容量大，需要的应用程序。
特点
· 4,194,304字×36位的组织
· 72脚单列直插式内存模块
MSC23436C - xxBS10 ：金标签
MSC23436C - xxDS10 ：焊片
·单5V电源供电， ±10 ％容差
=输入
： TTL兼容
=输出
： TTL兼容，三态
·刷新： 2048cycles / 32ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页模式功能
·多位测试模式功能
产品系列
访问时间（最大值）。
t
RAC
MSC23436C-60BS10/DS10
MSC23436C-70BS10/DS10
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
周期
时间
（分）
110ns
130ns
功率耗散（最大）。
操作
5720mW
5225mW
待机
55mW
家庭
