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MSC1211 ， MSC1212
MSC1213 ， MSC1214
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SBAS323D - 2004年6月 - 修订2005年9月
复位和上电时序
t
RW
RST
t
RRD
PSEN
t
RRD
ALE
t
RS
EA
注： PSEN和ALE内部上拉了 9kΩduring RST高。
t
RH
t
RFD
t
RFD
图5.复位时序，用户应用模式
t
RW
RST
t
RRD
PSEN
t
RRD
ALE
注： PSEN和ALE内部上拉了 9K
在RST高。
t
RS
t
RH
t
RFD
图6.并行Flash编程上电时序（ EA被忽略）
t
RW
RST
t
RRD
PSEN
t
RRD
ALE
注： PSEN和ALE内部上拉了 9K
在RST高。
t
RFD
t
RS
t
RH
图7.串行闪存编程上电时序（ EA被忽略）
表1.串行/并行Flash编程时序
符号
TRW
TRRD
tRFD
TRS
TRH
参数
RST宽度
RST上升到PSEN ALE内部上拉
RST下降到PSEN和ALE开始
输入信号RST下降建立时间
RST下降到输入信号保持时间
民
2tOSC
—
—
TOSC
17 + 512)t
(2
OSC
最大
—
5
17 + 512)t
(2
OSC
—
—
单位
—
s
—
—
—
12
