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复位和上电时序
t
RW
RST
t
RRD
PSEN
t
RRD
ALE
t
RS
EA
注： PSEN和ALE在RST高内部上拉了的9kΩ 。
t
RH
t
RFD
t
RFD
图E.复位时序。
t
RW
RST
t
RRD
PSEN
t
RRD
ALE
注： PSEN和ALE在RST高内部上拉了的9kΩ 。
t
RS
t
RH
t
RFD
图F.并行Flash编程上电时序（ EA被忽略） 。
t
RW
RST
t
RRD
PSEN
t
RRD
ALE
注： PSEN和ALE在RST高内部上拉了的9kΩ 。
t
RFD
t
RS
t
RH
图G.串行闪存编程上电时序（ EA被忽略） 。
符号
t
RW
t
RRD
t
RFD
t
RS
t
RH
参数
RST宽度
RST上升到
PSEN
ALE内部上拉
RST下降到
PSEN
和ALE启动
输入信号RST下降建立时间
RST下降到输入信号保持时间
(2
17
民
2 t
OSC
—
—
t
OSC
+ 512) t
OSC
最大
—
5
(2
17
+ 512) t
OSC
—
—
单位
ns
s
ns
ns
ns
10
MSC1212
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SBAS278A
