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外部程序存储器两种情况下访问：
1 ）当信号
EA
复位时低，那么所有的未来
访问是外部的，或
2 ）当程序计数器（ PC）中包含了许多
这是内部程序存储器的地址范围之外，
如果端口被启用。
如果端口0和端口2中选择了外部存储器，所有8位
P0口和P2口，以及P3.6和P3.7的，是专用
到输出功能，并且可以不被用于一般
通用I / O 。在外部程序获取，端口2输出
PC的高字节。
NC
MSC1212
PSEL
P2[7]
AddrHi [6：0 ]
P2[6:0]
PSEN
P1[7:0]
DATA [7 ：0]的
ALE
P0[7:0]
Cmd的[2 ：0]的
P3[7:5]
REQ
P3[4]
P3[3]
P3[2]
RST
XIN
确认
通
RST
CLK
AddrLo [7 ：0]的
FL灰
程序员
主持人
编程闪存
有编程四个部分闪存。
1.配置128个字节。
2.复位扇区（4KB） （不要与2kB的引导混淆
只读存储器） 。
3.程序存储器。
4.数据存储器。
图15.并行编程配置。
存储器编程。对Flash编程的实际代码
不能从闪存执行。这些代码必须从执行
引导ROM或内部（冯诺依曼） RAM 。
引导ROM
有一个2kB的引导ROM ，在串行控制操作
或并行编程。此外，引导ROM程序
如果它被启用时，用户模式可以被访问。当
启用后，引导ROM程序将位于内存
地址F800
H
-FFFF
H
在用户模式。在编程模式
在Boot ROM位于程序存储器的第一个2kB的。
中断
该MSC1212使用三优先级的中断系统。如
表九所示，每个中断源都有一个独立的
优先级位，标志，中断向量，并启用（除9
在中断占有率最高的辅助中断（ AI）
优先级）。另外，中断可以全局启用或
禁用。中断结构与原稿相兼容
最终8051家。所有标准的中断是可用的。
Flash编程模式
有两种编程模式：并行和串行。该
编程模式的选择通过ALE的状态，
PSEN
在上电复位信号。串口编程
选择模式
PSEN
= 0， ALE = 1并行
编程模式与选择
PSEN
= 1和ALE = 0，
如如图15所示。如果它们都高时， MSC1212
工作在正常的用户模式。这两个信号是LOW一
保留模式并没有定义。编程模式
退出，上电复位信号和正常模式
选择。
该MSC1212随闪存擦除（全1 ） 。
并行编程方法通常涉及第三方
程序员。串行编程方法通常涉及IN-
系统编程。 UAM允许Flash程序和数据
硬件配置存储器
在128个字节的配置可以只在被写入
程序模式。该字节通过SFR寄存器访问
TER值CADDR （ SFR 93
H
）和CDATA （ SFR 94
H
） 。两个
配置控制字节的Flash分区和系统
控制权。如果安全位被置位，这些位不能被改变
除了与整体擦除命令擦除所有的
Flash存储器包括128字节的配置。
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MSC1212
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