MSC1211 ， MSC1212
MSC1213 ， MSC1214
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SBAS323D - 2004年6月 - 修订2005年9月
描述
在MSC1211 / 12 /13 / 14顷完全集成的
集成的混合信号器件系列
高分辨率Δ-Σ （ ΔΣ ） ADC ， 16位DAC ，
8通道多路复用器，倦怠检测电流源，
可选缓冲输入，偏移DAC ，可编程增益
放大器（ PGA ） ，温度传感器，电压基准，
8位微控制器，闪存程序存储器，闪存数据
存储器和数据SRAM ，如图8 。
片上外设包括一个附加的32位
蓄能器，带有FIFO的SPI兼容串行端口，双
USART接口，多个数字输入/输出端口，看门狗
定时器，低电压检测，片上上电复位， 16位
PWM ，断点，掉电复位， 3个定时器/计数器，
和系统时钟分频器。在MSC1211和MSC1213
还包含一个硬件我
2
I2C外设。
该器件接受低电平差分或单端
直接从一个换能器的信号。该ADC提供24
分辨率的位数和无遗漏码的24位
使用性能的Sinc
3
用可编程滤波器
采样率。该ADC还具有可选的过滤器，
允许高分辨率，单周期转换。
微控制器内核8051指令集
兼容。微控制器内核的优化8051
其执行多达三倍的速度越快芯
标准的8051核心，在相同的时钟源。这
设计使得可以在较低的运行装置
外部时钟频率，并实现相同的
性能，更低的功耗比标准8051内核。
在MSC1211 / 12 /十四分之十三允许用户唯一配置
闪存和SRAM存储器映射以满足他们的需求
应用程序。在Flash是可编程下降到2.7V使用
串行和并行编程方法。闪存
续航能力是10万次擦除/写周期。此外， 1280
字节的RAM并入片。
该部分有单独的模拟和数字电源，其
可从2.7V独立供电，以+ 5.5V 。在+ 3V
操作时，功率损耗为每个部件通常是
超过4mW的少。在MSC1211 / 12 /13 / 14顷所有可用
采用TQFP - 64封装。
在MSC1211 / 12 /13/ 14被设计为高分辨率
在智能变送器测量应用，工业
过程控制，电子秤，层析，
便携式仪表。
AV
DD
AGND
REFOUT / REF IN + REF IN-
(1)
DV
DD
DGND
AV
DD
BURNOUT
检测
V
REF
LVD
定时器/
计数器
EA
ALE
PSEN
BOR
AIN0/IDAC0
AIN1/IDAC1
AIN2/VDAC2
(3)
AIN3/VDAC3
(3)
AIN4
AIN5
AIN6/EXTD
AIN7/EXTA
AINCOM
V / I
变流器
IDAC0/
AIN1
V / I
变流器
IDAC1/
AIN1
AIN2
VDAC0
VDAC1
VDAC2
(3)
1.2K
SRAM
高达32K
FL灰
32
位
累加器
8051
PORT3
SFR
SPI
FIFO
POR
系统时钟
分频器
时钟
发电机
MUX
卜FF器
PGA
调制器
数字
滤波器
PORT0
温度
传感器
8
位
偏移DAC
WDT
备用
功能
8
ADDR
数据
T2
SPI / EXT / I
2
C
(2)
USART1
ADDR
USART0
EXT
T0
T1
PWM
RW
PORT1
8
PORT2
8
8
BURNOUT
检测
AIN3 VDAC3
(3)
RST
AGND
RDAC0
RDAC1
VDAC0 VDAC1
鑫XOUT
注： （ 1 ） REF IN-必须捆绑使用内部V时至AGND
REF
.
(2) I
2
仅适用于MSC1213 。
（ 3 ） VDAC2和VDAC3只适用于MSC1211和MSC1212 。
图8.框图
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