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MSP430x15x ， MSP430x16x ， MSP430x161x
混合信号微控制器
SLAS368D-十月2002-修订2005年3月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度（除非另有
说明）
FL灰内存
参数
V
CC （ PGM /
擦除）
TEST
条件
V
CC
民
喃
最大
单位
编程和擦除电压
闪存定时发生器频率
从DV电源电流
CC
在计划
从DV电源电流
CC
在擦除
累计编程时间
累积质量擦除时间
编程/擦除次数
数据保存时间
字或字节编程时间
块编程时间1
st
字节或字
阻止程序时，每增加一个字节或字
块编程末端序列等待时间
整体擦除时间
段擦除时间
见注3
见注1
见注2
T
J
= 25°C
2.7 V/ 3.6 V
2.7 V/ 3.6 V
2.7 V/ 3.6 V
2.7 V/ 3.6 V
2.7
257
3
3
200
10
4
100
35
30
21
6
5297
4819
10
5
3.6
476
5
7
4
V
千赫
mA
mA
ms
ms
周期
岁月
f
FTG
I
PGM
I
抹去
t
CPT
t
CMErase
t
保留
t
字
t
座0
t
座1-63
t
块尾
t
整体擦除
t
赛格擦除
t
FTG
注： 1，累计编程时间不能写入64字节闪存块的时候超标。此参数适用于所有的编程
方法：个别字/字节写和块写入模式。
2.由闪光定时发生器产生的整体擦除持续时间至少为11.1ms （= 5297x1 /女
FTG
，上限= 5297x1 / 476kHz ） 。对
达到所要求的质量累计擦除时间闪存控制器的整体擦除操作可以反复进行，直到这个时候得到满足。
（需要19个周期最坏的情况下最小） 。
3，分别是硬连接至闪存控制器的状态机（T
FTG
= 1/f
FTG
).
JTAG接口
参数
f
TCK
R
国内
TCK输入频率
对TMS ， TCK ， TDI / TCLK内部上拉电阻
TEST
条件
见注1
见注2
V
CC
2.2 V
3V
2.2 V/ 3 V
民
0
0
25
60
喃
最大
5
10
90
单位
兆赫
兆赫
k
注： 1。 F
TCK
可被限制，以满足所选择的模块的时序要求。
2. TMS ， TDI / TCLK和TCK上拉电阻在所有版本实现。
JTAG熔丝（见注1 ）
参数
V
CC（ FB）的
V
FB
I
FB
t
FB
在熔丝烧断条件电源电压
关于TDI / TCLK的熔丝烧断电压等级：F版本
电源电流为TDI / TCLK时熔丝熔断
时间吹保险丝
TEST
条件
T
A
= 25°C
V
CC
民
2.5
6
7
100
1
喃
最大
单位
V
V
mA
ms
注： 1。一旦保险丝熔断，则不能继续使用的MSP430 JTAG /测试和仿真功能是可能的。该JTAG模块切换
到旁路模式。
48
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
