4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
写/擦除周期耐力
该MT28F004B5和MT28F400B5设计
和制造，以满足先进的固件存储重
quirements 。为了确保可靠性，V这个水平
PP
必须
可以在5V ± 10 ％ WRITE或者擦除周期。由于
工艺技术的进步， 5V V
PP
是最佳的
应用和生产程序。对于后台
与SmartVoltage技术， 12V病房兼容性
V
PP
支持最多100个循环，并且可以
可连接多达100个累计小时。操作
这些限制之外化可以减少数量
写和擦除，可以在执行周期
装置。
上电
不需要的写入或擦除可能性操作
系统蒸发散最小化，因为连续两个周期
执行任何操作所需。然而，重置
在ISM ，并提供额外的保护，同时V
CC
是斜坡，以下条件之一必须是
满足：
RP ＃必须保持为低电平，直到V
CC
是有效的
功能级;
or
CE ＃或WE ＃可保持高电平和
RP ＃必须从V切换
CC
-GND -V
CC
.
经过上电或复位，状态寄存器复位，
并且该设备将进入阵列读取模式。
RP ＃
注1
V
CC
(5V)
电源使用
该MT28F004B5和MT28F400B5提供几个
可以在阵列中利用省电功能
阅读模式，以节省电力。深度掉电模式
通过使反相＃低电平使能。电流消耗（我
CC
）在
这种模式的最大20μA的5V V
CC
。当CE＃
为高电平时，器件将进入待机模式。在这
模式，最大I
CC
电流130μA在5V 。如果CE＃为
在写入期间拉高或擦除的ISM将
继续运行，并且该装置会消耗
相应的有功功率，直到写或擦除是
完成。
t
AA
地址
有效
数据
t
RWH
有效
未定义
注意：
1. V
CC
之前一定要RP ＃有效工作范围之内
变高。
图2
上电/复位时序图
4MB的智能5引导块闪存
F44_B.p65 - 修订版7/02
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2002年，美光科技公司
