MTD3055VL
首选设备
功率MOSFET
12安培， 60伏
N沟道DPAK
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。专为低电压，高
电源供应器，转换器和功率高速开关应用
电机控制，这些设备特别适合好桥梁
电路中的二极管速度和换向安全工作区域
对突发电压的关键，并提供额外的安全边际
瞬变。
较高的雪崩能量
IDSS和VDS （ ON）指定高温
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压
- 连续
- 单脉冲（ TP
≤
50毫秒）
漏电流 - 连续@ 25°C
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功率耗散@ 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25° C，当
安装在最小垫推荐
SIZE
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 5.0伏，
IL = 12 APK， L = 1.0 mH的， RG = 25
)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境，安装时
推荐的最小焊盘尺寸
最高温度焊接
目的， 1/8“案件从10
秒
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
ID
IDM
PD
价值
60
60
±15
±
20
12
8.0
42
48
0.32
1.75
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
瓦
4
1 2
3
Y
WW
T
CASE 369A
DPAK
方式2
=年
=工作周
= MOSFET
YWW
T
3055VL
G
S
http://onsemi.com
12安培
60伏特
RDS （ ON） = 180毫欧
N沟道
D
记号
图
TJ ， TSTG
EAS
-55
175
72
°C
mJ
引脚分配
° C / W
R
θJC
R
θJA
R
θJA
TL
3.13
100
71.4
260
°C
4
漏
1
门
2
漏
3
来源
订购信息
设备
MTD3055VL
MTD3055VL1
MTD3055VLT4
包
DPAK
DPAK
DPAK
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第3版
出版订单号：
MTD3055VL/D
