MTP3N50E
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（VGS = 0时， ID = 0.25 mA）的
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 500 V， VGS = 0 ）
（ VDS = 400 V ， VGS = 0 ， TJ = 125°C ）
门体漏电流，正向（ VGSF = 20伏直流电， VDS = 0 ）
门体漏电流，反向（ VGSR = 20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征*
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 0.25 MADC ）
（ TJ = 125°C ）
静态漏源导通电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.5 ADC ）
漏源电压（ VGS = 10 V直流）
（ID = 3.0 A）
（ID = 1.5 A， TJ = 100 ° C）
正向跨导（ VDS = 15 VDC ， ID = 1.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性*
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管的特性*
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
内部封装电感
内部排水电感
（从接触测量螺丝上标签，模具中心）
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
*表示脉冲测试：脉冲宽度= 300
s
最大值，占空比
≤
2.0%.
**有限公司通过电路电感。
Ld
—
—
Ls
—
3.5
4.5
7.5
—
—
—
nH
（ IS = 3.0 A， di / dt的= 100 A / μs）内
（ IS = 3.0 A）
VSD
吨
TRR
—
—
—
—
**
200
1.5
—
—
VDC
ns
（ VDS = 400 V ， ID = 3.0 A，
VGS = 10V）
（ VDD = 250 V ， ID
≈
3.0 A,
RG = 18
,
RL = 83
,
VGS （ ON）= 10 V ）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
—
—
—
—
—
—
—
14
14
30
20
15
2.5
10
—
—
—
—
21
—
—
nC
ns
（ VDS = 25 V ， VGS = 0 ，
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
435
56
9.2
—
—
—
pF
VGS （ TH）
2.0
1.5
RDS （ ON）
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
1.0
—
—
—
10
8.0
—
姆欧
—
—
—
2.4
4.0
3.5
3.0
欧姆
VDC
VDC
V（ BR ） DSS
IDSS
—
—
IGSSF
IGSSR
—
—
—
—
—
—
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
500
—
—
VDC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
