摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MTP2N50E / D
数据表
TMOS E- FET 。
功率场效应晶体管
设计师
MTP2N50E
摩托罗拉的首选设备
N沟道增强型硅栅
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力，而不
降解性能随着时间的推移。此外，这种先进的TMOS
E- FET的设计可承受高能量雪崩和
换模式。新的节能设计还提供了一个
漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。专为高
电压，在电源的高速开关应用，
变换器和PWM马达控制，这些设备是特别
非常适合桥式电路中的二极管速度和换向
安全工作领域是至关重要的，并提供了额外的安全边际
对意外的电压瞬变。
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
IDSS和VDS （ ON）指定高温
G
S
TMOS功率场效应晶体管
2.0安培
500伏
RDS （ ON）= 3.6 OHM
D
CASE 221A -06型5
TO–220AB
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压 - 连续
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续
- 连续@ 100℃
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功耗
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 100伏， VGS = 10 VDC ， IL = 3.5 APK， L = 10毫亨， RG = 25
)
热阻 - 结到管壳
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
R
θJC
R
θJA
TL
价值
500
500
±
20
±
40
2.0
1.6
6.0
75
0.6
- 55 150
61
1.67
62.5
260
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
mJ
° C / W
°C
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
E- FET和设计师的有摩托罗拉，Inc.的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉公司1995年
功率MOSFET晶体管器件数据
1
