位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第105页 > MUN5232DW1T1 > MUN5232DW1T1 PDF资料 > MUN5232DW1T1 PDF资料3第2页

MUN5211DW1T1系列
器件标识和电阻值
设备
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
包
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
记号
7A
7B
7C
7D
7E
7F
7G
7H
7J
7K
7L
7M
7N
7P
R1 ( K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2 ( K)
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
47
100
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,常见的Q
1
和Q
2
)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注3 ) (我
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 %
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
VDC
VDC
http://onsemi.com
2