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MUN5211DW1T1系列
器件标识和电阻值
设备
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
记号
7A
7B
7C
7D
7E
7F
7G
7H
7J
7K
7L
7M
7N
7P
R1 ( K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2 ( K)
10
22
47
47
1.0
2.2
4.7
47
47
47
100
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,常见的Q
1
和Q
2
)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注3 ) (我
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 %
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
VDC
VDC
http://onsemi.com
2

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