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MUN5211DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
http://onsemi.com
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，
2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想
针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个
溢价。
(3)
R
1
Q
1
(2)
R
2
(1)
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
6
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT363
CASE 419B
风格1
标记图
6
XX
d
1
XX =具体设备守则
d
=日期代码
=
（见第2页）
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
670 （注1 ）
490 （注2 ）
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
θJA
器件标识信息
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUN5211DW1T1/D
