NCP1200
如果漏感保持为低，则MTD1N60E可以
顶住
偶然
雪崩能量，如期间
高电压尖峰叠加在电源，而不
夹紧网络的帮助。如果该泄漏通道
永久强制漏 - 源电压高于
MOSFET的BVDSS （ 600V） ，钳位网络是强制性的
而且必须围绕RCLAMP和钳建。 DCLAMP应
反应速度非常快，并且可以是MUR160型。为了计算
元件值，下面的公式可以帮助你：
R
夹具=
2
@
V
V
纹波
：夹紧波纹，可能是在20 V
另一种选择在于实现缓冲网络
这将受潮漏电振荡，但也提供了
在MOSFET的关断更电容。高峰
电压，在该泄漏强制排水计算
方式：
V
最大
+
Ip
@
L
C
泄漏
钳
@
(V
L
钳
*
(V
OUT
)
VF秒）
@
N)
泄漏
@
Ip
2
@
FSW
V
C
块状
其中C
块状
代表看到的总寄生电容
在MOSFET开启。对于Rsnubber典型值，
Csnubber在这4W应用程序可能分别为1.5
千瓦和47 pF的。进一步调整仍然是必要的
调整耗散功率与待机功耗。
提供的文件
“实施NCP1200在低成本的AC- DC
转换器“ ， AND8023 / D 。
“传导EMI滤波器设计了NCP1200 '' ，
AND8032/D.
“斜坡补偿的NCP1200 ' ， AND8029 / D 。
短暂的交流模式可供下载：
http://onsemi.com/pub/NCP1200
NCP1200设计表格可供下载：
http://onsemi.com/pub/NCP1200
钳
+
钳
钳
V
纹波
@
FSW
@
R
有：
V
钳
：所需的钳位电平，必须被选择为
在40 V至80 V以上的反射输出电压
当电源负载过重。
V
OUT
+ VF ：
稳压输出电压电平+二级
二极管的电压降
L
泄漏
：初级漏感
N:
Ns个：NP转化率
F
SW
：开关频率
订购信息
设备
NCP1200P40
NCP1200P40G
NCP1200D40R2
NCP1200D40R2G
NCP1200P60
NCP1200P60G
NCP1200D60R2
NCP1200D60R2G
NCP1200P100
NCP1200P100G
NCP1200D100R2
NCP1200D100R2G
F
SW
= 100千赫
F
SW
= 60千赫
F
SW
= 40千赫
TYPE
记号
1200P40
1200P40
200D4
200D4
1200P60
1200P60
200D6
200D6
1200P100
1200P100
200D1
200D1
包
PDIP8
PDIP8
（无铅）
SOIC8
SOIC8
（无铅）
PDIP8
PDIP8
（无铅）
SOIC8
SOIC8
（无铅）
PDIP8
PDIP8
（无铅）
SOIC8
SOIC8
（无铅）
航运
50单位/铁
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2500个/卷
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2500个/卷
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2500个/卷
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规范手册， BRD8011 / D 。
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