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飞利浦半导体
BUK95/96/9E4R4-40B
的TrenchMOS 逻辑电平FET
100
ID
(A)
75
03nl84
5
VGS
(V)
4
03nl82
3
50
2
VDD = 14 V
VDD = 32 V
25
TJ = 175
°
C
TJ = 25
°
C
1
0
0
1
2
VGS （ V）
3
0
0
20
40
60
QG （ NC ）
80
V
DS
= 25 V
T
j
= 25
°C;
I
D
= 25 A
图13.传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值。
图14栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值。
100
IS
(A)
75
03nl81
50
TJ = 175
°
C
TJ = 25
°
C
25
0
0.0
0.3
0.6
0.9
VSD （V）的
1.2
V
GS
= 0 V
图15.来源（二极管的正向）电流源极 - 漏极（二极管的正向）的电压的函数;典型值。
9397 750 12051
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产品数据
牧师02 - 二〇〇三年十月十三日
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