典型电气特性
漏源击穿电压
1.12
I
D
= 250A
10
5
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
1.08
1
0.5
TJ = 125°C
1.04
25°C
-55°C
0.1
1
0.96
0.01
0.92
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图7.击穿电压变化与
温度。
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度
.
1000
800
10
I
D
= 3.7A
V
GS
，栅源电压（V ）
8
V
DS
= 10V
20V
500
电容（pF）
国际空间站
300
200
15V
6
OSS
4
100
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
RSS
30
2
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
0
2
4
6
8
Q
g
，栅极电荷（ NC）
10
12
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性。
10
，跨导（ SIEMENS ）
V
DS
=10V
8
T J = -55°C
25°C
125°C
6
4
2
g
0
0
FS
2
4
6
I
D
，漏电流（ A）
8
10
图11.跨导变化与漏
电流和温度。
NDS9956A.SAM
