NE33284A
推荐焊接条件
在以下情况（见下表）必须焊接本产品时得到满足。
请在其他情况下，焊接过程中我们的销售办事处咨询时，或在焊接下进行
不同的条件。
＆ LT ;表面贴装元件＆gt种类;
欲了解更多详情，请参阅我们的文档“半导体设备安装技术手册”（ IEI-
1207)
[NE33284A]
焊接工艺
红外线回流
焊接条件
峰值包的表面温度： 230℃或以下，回流
时间：回流30秒或以下（210 ℃以上） ，数
过程： 1 ，曝光限制* ：无
终端温度： 230 ℃或以下，流动时间：10秒或
下面，曝光限制* ：无
符号
IR30-00
局部加热法
*:
干后包封装在焊接之前曝光的限制被打开。
储存条件： 25℃和相对湿度在65 ％以下。
注意：
不适用超过一个单一的过程一次，除了“局部加热方法” 。
注意事项：
避免高静态电压和电场，因为该装置是异质结场效应
晶体管，肖特基势垒门。
小心
大必须小心处理本指南中的设备。
其原因是，该装置的材料是砷化镓（GaAs ），这是
根据有关法律指定为有害物质。
请有关日本的法律等，尤其是在情况下拆除。
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