数据表
数据表
的GaAs MES FET
NE76118
L到S波段低噪声放大器
N沟道的GaAs MES FET
描述
NE76118是一个n沟道的GaAs MES FET容纳在模具封装。
包装尺寸
以毫米为单位
特点
低噪声系数
NF = 0.8 dB典型值。在f = 2 GHz的
(1.25)
0.60 0.65
+0.1
0.3
+0.1
–0.05
0.3 0.4
–0.05
2
2.1±0.2
1.25±0.1
3
0.3
+0.1
–0.05
0.15
+0.1
–0.05
0.3
+0.1
–0.05
(1.3)
关联度高增益
2.0±0.2
GA = 13.5 dB典型值。在f = 2 GHz的
门宽：毛重= 400
P
m
4引脚超小型模具
磁带&卷轴包装仅
V52
1
4
0-0.1
订购信息
部分
数
NE76118-T1
0.9±0.1
QUANTITY
3千件/卷。
包装方式
压纹带8mm宽。引脚3 （来源）
引脚4 （漏）面的侧面穿孔
胶带。
压纹带8mm宽。引脚1 （来源）
引脚2 （门）面的侧面穿孔
胶带。
NE76118-T2
3千件/卷。
引脚连接
1.源
2.门
3.源
4.漏
*请与NEC负责人，如果你需要评估咨询，
样本。样本股数量为50个。 （部件号： NE76118 ）
绝对最大额定值（T
A
= 25
q
C)
漏源极电压
栅极至源极电压
栅漏电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GSO
V
GDO
I
D
P
合计
T
ch
T
英镑
5.0
–5.0
–6.0
I
DSS
130
150
-65到+150
V
V
V
mA
mW
qC
qC
一号文件P11129EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1997年一月
日本印刷
1996
