初步
应用说明
（续）
V I晶片焊接建议
V I晶片模块适用于回流焊工艺。该
以下信息定义所需的加工条件
成功连接一个V I晶片到PCB上。不遵守
所提供的建议可能会导致美观或功能失效
模块。
存储
V I晶片模组，目前额定功率为MSL 5.暴露于环境
超过72小时的条件，需要24小时的烘烤，在125℃以
从包中取出的水分。
焊膏的模板设计
焊膏被推荐用于多种原因，其中包括
克服小的焊料球共面问题以及更简单的
融入整体贴片工艺。
63/37锡铅，无论是免洗或水洗，焊膏应
使用。无铅的开发正在进行中。
推荐的模板厚度为6密耳。孔应该是
20密耳直径内侧（ BGA ）的应用和0.9-0.9 ： 1
板载（ J-引线） 。
拾取和放置
内侧（ BGA ）组件应放置准确地
以减少焊点任何偏斜;一个最大的偏移量
10密耳是允许的。板载（ J-含铅）模块应放在
在±5密耳。
保持放置位置时，该模块不应当受
加速度大于500英寸/秒
2
回流前。
回流
有两个温度下的再流焊工艺的关键;焊料
联合温度和模块的外壳温度。焊点的
温度至少应达到220℃ ，用液相线以上时间
的 30秒（ 183C ） 。
该模块的外壳温度不得超过208 C随时
在回流。
由于该
T
销和的情况下，强制空气之间需要
对流烘箱中，优选为回流焊接。这种回流方式
通常从PCB到焊点的热量传导。模块的
大的质量也降低了其温度上升。应注意，以
防止过高的温度更小的设备。回流
模块上使用空气-VAC型设备PCB不推荐
由于在高温下的模块将经历。
图30-
正常回流V I晶片J形引线
16
焊接时间
V I晶片母线转换模块
拆卸和返工
V I晶片模块可以使用特殊工具的PCB删除等
那些通过空气吸尘器进行。这些工具加热的非常局部区域
该板用热气体，同时施加拉伸力到
组件（使用真空） 。前部件加热和去除，
整板应加热到80-100℃ ，以降低
成分加热时间以及当地的PCB变形。如果有
相邻的湿度敏感元件，应使用一个125℃的烘
之前部分切除，以防止爆米花。 V I晶片模组
不应期望生存的除去操作。
239
联合温度， 220℃
外壳温度208C
183
165
摄氏度
91
图29热
资料图
检查
用于将BGA -版本中，回流后的焊料的外观检查
接头应显示相对柱状焊点，没有桥梁。一
使用X射线设备检查都可以做，但模块的
材料可能使成像困难。
在J形引线版本焊点应符合IPC 12.2
适当地润湿角必须是显而易见的。
脚跟圆角高度必须超过铅厚度加上焊锡厚度。
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V I晶片母线转换模块
B048K096T24
修订版3.0
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