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CAT22C10
256位非易失CMOS静态RAM
特点
s
单5V电源
s
快速内存访问时间：
s
CMOS低功耗：
–200ns
–300ns
s
无限ê
2
PROM到RAM召回
s
CMOS和TTL兼容的I / O
s
上电/掉电保护
s
100,000编程/擦除周期（E
2
舞会）
-active ：最大40mA 。
-Standby ： 30
A最大。
s
JEDEC标准管脚引出线：
-18引脚DIP
-16引脚SOIC
s
10年的数据保存
s
商用，工业和汽车
温度范围
描述
该CAT22C10 NVRAM是一个256位的非易失性存储器
组织为64字× 4位。高速静态
RAM阵列是逐位进行备份的非易失性
E
2
PROM阵列，它可以很容易地传输数据
从RAM阵列到E
2
PROM（存储）和来自
E
2
PROM到RAM （ RECALL ） 。 STORE操作
在10ms以下完成。和RECALL操作的典型
美云为1.5μs之内。该CAT22C10功能无限
RAM写入操作既可以通过外部RAM
写或给E内部召回
2
舞会。内部假
店内的保护电路禁止商店运营
当V
CC
小于3.0V 。
该CAT22C10使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期（E
2
舞会）
并且具有10年的数据保持力。该装置是
在提供JEDEC批准的18引脚塑料DIP和16
引脚SOIC封装。
引脚配置
DIP封装（ P）
SOIC封装（J ）
A4
A3
A2
A1
A0
CS
VSS
商店
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
5
功能
地址
IN / OUT数据
写使能
芯片选择
召回
商店
+5V
地
无连接
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CS
VSS
商店
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
VCC
NC
A5
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
WE
召回
22C10 F01
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
A5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
WE
召回
I / O
0
-I / O
3
WE
CS
召回
商店
V
CC
V
SS
22C10 F02
NC
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。第25018-0A 2/98 N-1
这种材料版权归其各自的制造商
