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2SD1368
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C(峰值)
*
1
P
C
*
2
Tj
TSTG
评级
100
50
6
1
1.5
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
注意事项: 1, PW
10毫秒,占空比
20%
2.值在氧化铝陶瓷基板( 12.5 ×20× 0.7mm)的
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
100
50
6
100
CC
250至500
典型值
100
20
最大
0.1
0.1
500
0.3
1.2
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 80 V,I
E
= 0
V
EB
= 4 V,I
C
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.1 A
I
C
= 1 A,I
B
= 0.1 A ,脉冲
I
C
= 1 A,I
B
= 0.1 A ,脉冲
V
CE
= 2 V,I
C
= 10毫安,脉冲
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意:
标志
h
FE
CA
100至200
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
COB
CB
160至200
1. 2SD1368用h分组
FE
如下。
见2SD789的特性曲线。
2

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