功率晶体管
2SD1272
硅NPN三重扩散平面型
用于高速开关和高的电流放大倍数
0.7±0.1
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
单位：mm
4.2±0.2
s
特点
q
q
q
高盼着电流传输比H
FE
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
7.5±0.2
16.7±0.3
φ3.1±0.1
14.0±0.5
s
4.0
绝对最大额定值
(T
C
=25C)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
Ta=25°C
P
C
T
j
T
英镑
评级
200
150
6
2.5
1
0.1
40
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
C
1.4±0.1
1.3±0.2
浸焊
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
结温
储存温度
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220全包套餐（一）
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE *
V
CE （ SAT ）
f
T
条件
V
CB
= 200V ，我
E
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
I
C
= 25毫安，我
B
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 0.2A
I
C
= 0.5A ，我
B
= 0.02A
V
CE
= 4V ，我
C
= 0.1A ， F = 10MHz时
25
150
500
2000
1
V
兆赫
民
典型值
最大
100
100
单位
A
A
V
*
h
FE
等级分类
Q
P
秩
h
FE
500 1200 800 2000
1
