功率晶体管
2SB0933
(2SB933)
PNP硅外延平面型
对于开关电源
补充2SD1256
■
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
正向电流传输比H良好的线性
FE
大的集电极电流I
C
N型包使散热片直接焊接到
印刷电路板的小型电子设备等。
10.0
±0.3
1.5
±0.1
8.5
±0.2
6.0
±0.2
单位：mm
3.4
±0.3
1.0
±0.1
4.4
±0.5
2.0
±0.5
2.54
±0.3
1.4
±0.1
5.08
±0.5
1
2
3
0.8
±0.1
R = 0.5
R = 0.5
1.0
±0.1
0.4
±0.1
(8.5)
(6.0)
4.4
±0.5
00.4
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
T
a
=
25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
130
80
7
5
10
40
1.3
150
55 +150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
(6.5)
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
N-二G1套餐
注）自支撑式封装也准备。
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
2. * ：等级分类
秩
h
FE2
Q
90至180
P
130 260
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
= 10
妈，我
B
=
0
V
CB
= 100
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 2
V，I
C
=
0.1 A
V
CE
= 2
V，I
C
= 2
A
I
C
= 4
A，I
B
=
0.2 A
I
C
= 4
A，I
B
=
0.2 A
V
CE
= 10
V，I
C
=
0.5 A，F
=
10兆赫
I
C
= 2
A,
I
B1
=
0.2 A，I
B2
=
0.2 A
V
CC
= 50
V
30
0.13
0.5
0.13
45
90
260
1.5
0.5
V
V
兆赫
s
s
s
民
80
10
50
典型值
最大
单位
V
A
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2003年4月
SJD00015BED
(7.6)
(1.5)
1.3
14.4
±0.5
3.0
+0.4
–0.2
1.5
+0
–0.4
1
