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28LV64A
64K ( 8K ×8 )低电压CMOS EEPROM
特点
2.7V至3.6V电源
读取时间-300纳秒
CMOS技术的低功耗
- 8毫安活动
- 50
一种CMOS待机电流
字节写入时间为3 ms
数据保留>200年
高耐用性 - 最少10万次擦除/写
周期
自动写操作
- 内部控制定时器
- 自动清除写入操作之前
- 片内地址和数据锁存器
- 数据查询
就绪/忙
芯片清零操作
增强的数据保护
- V
CC
探测器
- 脉冲滤波器
- 写保护
电子签名的设备Identi网络阳离子
组织8Kx8 JEDEC标准引脚
- 28脚双列直插式封装
- 32引脚芯片载体(无引线或塑料)
- 28引脚薄型小尺寸封装( TSOP )
8x20mm
- 28引脚超小外形封装( VSOP )
8x13.4mm
可扩展工作温度范围:
- 商业: 0 ° C至+ 70°C
- 工业级: -40 ° C至+ 85°C
封装类型
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
12
13
14
28
27
26
25
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23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A6
5
A9
A5
6
A11 A4
7
A3
8
OE
A10 A2
9
A1
10
CE
A0
11
I/O7
NC
12
I/O6
I/O0
13
I/O5
I/O4
I/O3
2
RDY / BSY
1
NU
4
A7
3
A12
32
VCC
31
WE
18
19
30
NC
29
A8
28
A9
27
A11
26
NC
25
OE
24
A10
23
CE
22
I/O7
21
I/O6
14
15
16
17
引脚1指示灯PLCC封装的顶部
OE
A11
A9
A8
NC
WE
VCC
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
OE
A11
A9
A8
NC
WE
V
CC
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
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9
10
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28
1
2
3
4
5
6
7
描述
Microchip Technology Inc.的28LV64A是CMOS 64K非VOL-
atile电可擦除PROM由8位, 8K字。
该28LV64A是像一个静态RAM的读或写访问的
循环而没有外部元件的需要。在一个“字节
写“时,地址和数据被内部地锁存,从而释放
微处理器的地址和数据总线,用于其它操作。跟着
哞哞叫写周期的开始,该设备将进入繁忙状态
而自动清除,并用一个跨写入数据锁存
最终控制定时器。要确定写周期完成,
用户有监视就绪/忙输出的选择或
使用数据轮询。的Ready / Busy引脚是开漏输出,
它可以方便地CON组fi guration在“线或”系统。 Alterna-
疑心,数据轮询允许读取该位置的用户最后写入
当写操作完成。 CMOS的设计和亲
cessing允许在系统中使用该部分,其中减少
电力消耗和可靠性是必需的。一个完整的家庭
包是提供给提供应用的最大灵活性
系统蒸发散。
框图
I/O0...................I/O7
VSS
VCC
CE
OE
WE
RDY /
忙
A0
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
A12
数据保护
电路
CHIP ENABLE /
OUTPUT ENABLE
控制逻辑
自动擦除/写
定时
编程电压
GENERATION
Y
解码器
数据
调查
输入/输出
缓冲器
L
a
t
c
h
e
s
X
解码器
1996年Microchip的科技公司
初步
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
I/O1
I/O2
VSS
NU
I/O3
I/O4
I/O5
28
27
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20
19
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17
16
15
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20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
门控
64K位
细胞矩阵
DS21113B第1页
20
DIP / SOIC
PLCC / LCC
A10
CE
I/07
I/06
I/05
I/04
I/03
VSS
I/02
I/01
I/00
A0
A1
A2
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
TSOP
VSOP