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1N821-1,1N823-1,1N825-1,1N827-1和1N829-1 AVAILABLE IN
JAN
,
JANTX , JANTXV
与JANS
每MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五
温度补偿齐纳二极管基准二极管
冶金结合
双封堵施工
1N821通1N829A
1N821-1通1N829-1
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
DC功耗: 500毫瓦@ + 50°C
功率降额: 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
反向漏电流
l
R
= 2
A @ 25℃ & V
R
= 3伏直流
电气特性
@ 25°C, unless otherwise speci½ed.
JEDEC
TYPE
齐纳
电压
VZ @我
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
(注1 )
Z
ZT
电压
温度
稳定性
V
ZT
-55 ℃至+ 100 ℃
(注2 )
有效
温度
系数
图1
% / °C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
1N821
1N821A
1N822
1N823
1N823A
1N824
1N825
1N825A
1N826
1N827
1N827A
1N828
1N829
1N829A
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
15
10
15
15
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15
10
15
15
10
15
15
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mV
96
96
96
48
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
设计数据
案例:
密封的玻璃
情况。 DO - 35的轮廓。
导线材料:
铜包钢。
铅表面处理:
锡/铅
极性:
二极管与操作
带状(阴极)端阳性。
安装位置:
任。
Double Anode: Electrical Speci½cations Apply Under Both Bias Polarities.
注1
齐纳阻抗叠加在LZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
到LZT的10%。
观察到的在整个温度范围内,即允许的最大变化,
the diode voltage will not exceed the speci½ed mV at any discrete temperature
与既定的限制,根据JEDEC标准第5号。
注2
6湖街,劳伦斯,马萨诸塞州01841
电话( 978 ) 620-2600
传真( 978 ) 689-0803
网址: http://www.microsemi.com
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