1N5221 THRU 1N5281
硅平面齐纳二极管
特点
硅平面齐纳二极管
的20％。添加后缀??一??
标准的齐纳电压容差
为
10 ％的容差和后缀?? B ??为
5 ％的容差。
其他公差，非标准和更高的齐纳电压
根据要求提供。
DIM ENSIONS
暗淡
A
B
C
D
英寸
分钟。
-
-
-
1.083
马克斯。
0.154
0.075
0.020
-
分钟。
-
-
-
27.50
mm
马克斯。
3.9
1.9
0.52
-
记
绝对最大额定值
(T
a
=25
)
符号
值
单位
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
AMB
=75
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
500
1)
mW
200
-65到+200
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
特征
热阻
结到环境空气
at
T
AMB
=25
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
THA
V
F
-
-
-
-
0.3
1)
K /毫瓦
V
在我正向电压
F
=200mA
1.1
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
1
