NTD2955
功率MOSFET
-60 V， -12 ， P沟道DPAK
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。专为低电压，高
电源供应器，转换器和功率调速开关应用
电机控制，这些设备特别适合好桥梁
电路中的二极管速度和换向安全工作区域
关键的，并提供对意外的附加安全余量
电压瞬变。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
155毫瓦@ -10 V ， 6的
I
D
最大
12 A
较高的雪崩能量
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
专为低电压，高速开关应用程序和
承受高能量的雪崩和减刑模式
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流
漏电流
- 连续@ T
a
= 25°C
漏电流
- 单脉冲（T
p
≤
10毫秒）
总功率耗散@ T
a
= 25°C
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 10伏，峰值
I
L
= 12 APK ， L = 3.0 mH的，R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的，在1/8 。从案例
10秒
符号
V
DSS
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
60
±
20
±
25
12
36
55
-55
175
216
单位
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
W
°C
mJ
1 2
3
G
P- CHANNEL
D
S
记号
图表
4
漏
DPAK
CASE 369C
方式2
AYW
NT2955
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
AYW
NT2955
1 2 3
门漏源
NT2955
A
Y
W
器件代码
=大会地点
=年
=工作周
4
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.73
71.4
100
260
° C / W
4
DPAK3
CASE 369D
方式2
1
2
°C
3
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装用1片大小的FR4板
（铜面积= 1.127的
2
).
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸（铜面积= 0.412的
2
).
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 修订版7
出版订单号：
NTD2955/D
