电气特性（续） ：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
基本特征
（注1 ）
（续）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基射极饱和电压
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
小信号特性
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
t
d
t
r
t
s
t
f
V
CC
= 30V, V
EB （O FF ）
= 2V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
–
–
–
–
–
–
–
–
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
f
T
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
I
C
= 20mA时， V
CE
= 10V ， F = 100MHz的
V
CB
= 5V ，我
E
= 0中，f = 100kHz的
V
CB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 100kHz的
I
C
= 1mA时， V
CE
= 10V ， F = 1kHz时
I
C
= 1mA时， V
CE
= 10V ， F = 1kHz时
I
C
= 1mA时， V
CE
= 10V ， F = 1kHz时
I
C
= 1mA时， V
CE
= 10V ， F = 1kHz时
250
–
–
1.0
0.1
40
1.0
–
–
–
–
–
–
–
–
6.5
30
15
8.0
500
30
μmhos
兆赫
pF
pF
k
x 10
–6
–
–
0.75
–
–
–
–
–
0.4
0.75
0.95
1.2
V
V
V
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
