OP183/OP283
电气特性
(@ V =
S
15.0 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
民
典型值
0.01
最大
1.0
1.25
600
750
±
50
+13.5
单位
mV
mV
nA
nA
nA
V
dB
V / MV
μV/°C
NA / ℃，
mV
V
V
mA
mA
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
失调电压漂移
偏置电流漂移
长期失调电压
输出特性
输出电压高
输出电压低
短路限
打开-loop输出阻抗
电源
电源抑制比
电源电流/放大器
电源电压范围
动态性能
压摆率
全功率带宽
建立时间
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
A
VO
V
OS
/T
I
B
/T
V
OS
V
OH
V
OL
I
SC
Z
OUT
PSRR
I
SY
V
S
SR
BW
p
t
S
英镑
φm
e
氮，磷，磷
e
n
i
n
条件
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
–40
≤
T
A
≤
+85°C
–15
V
CM
= -15 V至13.5 V，
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2 k
70
100
86
1000
3
–1.6
300
400
11
注1
R
L
= 2 kΩ到GND ， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2 kΩ到GND ， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C
来源
SINK
F = 1 MHz时，A
V
= +1
V
S
=
±
2.5 V至
±
18 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
S
=
±
18 V, V
O
= 0 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
+13.9 14.1
–14.05
30
50
15
1.5
–13.9
70
112
1.2
1.75
±
18
dB
mA
V
V / μs的
千赫
s
兆赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
+3
R
L
= 2 k
1 ％的失真
至0.01％
10
15
50
1.5
5
56
2
10
0.4
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
笔记
1
长期偏移电压是通过在125在三个独立的批次进行1000小时的寿命试验保证
°C,
随着1.3的LTPD 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
晶圆测试极限
参数
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制
电源抑制比
大信号电压增益
输出电压高
输出电压低
电源电流/放大器
(@ V
S
= +5.0 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
VO
V
OH
V
OL
I
SY
条件
V
S
=
±
15 V, V
O
= 0 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 0 V至3.5 V
V =
±
2.5 V至
±
18 V
R
L
= 2 k, 0.2
≤
V
O
≤
3.8 V
R
L
= 2 k
R
L
= 2 k
V
S
=
±
15 V, V
O
= 0 V ，R
L
=
∞
极限
1.0
±
600
±
50
70
70
100
4.0
75
1.5
单位
毫伏最大
nA的最大
nA的最大
分贝分钟
分贝分钟
V / mV的最小值
V分钟
毫伏最大
最大mA
记
电气测试和晶片探测到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常的产量损失，包装后的产量不保证标准
产品骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资格洽谈规格。
REV.B
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