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P4C150
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
从地址保持时间
写结束
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
-10
-25
-12
-15
-20
-35
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
8
8
0
8
0
5
0
5
2
2
12
10
10
1
10
1
8
1
8
2
15
11
13
1
11
1
11
1
12
3
20
13
16
1
13
1
13
1
15
3
25
15
20
2
15
2
15
2
20
3
35
20
25
2
20
2
20
2
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序波形写周期NO 。 1 （我们控制）
(10)
WE
t
WC
地址
t
CW
CS
t
AW
t
WP
WE
t
AS
DATA IN
t
WZ
数据输出
数据中，未定义
高阻抗
(8)
(12)
t
WR
t
AH
t
DW
数据有效
t
DH
t
OW
(8, 11)
时序波形写周期NO 。 2 （ CS控制）
(10)
CS
t
WC
地址
t
AS
CS
t
AW
t
WP
WE
t
DW
DATA IN
数据有效
t
DH
t
CW
t
AH
t
WR
(12)
数据输出
高阻抗
注意事项：
10.
CS
和
WE
必须是低的写周期。
11.如果
CS
云同时高
WE
高，输出遗体
在高阻抗状态。
12.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
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